Série M-LAS Barrières lumineuses/front ends
Barrières miniatures laserCaractéristiques techniques générales ....
CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES GÉNÉRALES :
Consommation électrique
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<5 mA
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Source lumineuse
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M-LAS-10-RFX-IR:
Laser semi-conducteur, 850 nm, <0,39mW puissance opt., mode DC, classe laser 1 selon la norme DIN EN 60825-1:2015-07 (IEC 60825-1:2014) M-LAS-10-RFX-VIS : Laser semi-conducteur, 650 nm (rayon laser rouge visible), <1mW puissance opt., mode DC, classe laser 2 selon la norme DIN EN 60825-1:2015-07 (IEC 60825-1:2014) |
Distance de travail
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en fonction du type de capteur
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Optique
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M-LAS-10-RFX-IR:
collimatée M-LAS-10-RFX-VIS: focalisé sur100 mm |
Taille du spot laser
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M-LAS-10-RFX-IR:
Diamètre de rayon émetteur à la sortie de l’appareil : typ. 0,7 mm Diamètre de rayon émetteur à une distance de 20 mm : typ. 0,5 mm Diamètre de rayon émetteur à une distance de 800 mm : typ. 2,8 mm M-LAS-10-RFX-VIS : Diamètre de rayon émetteur à la sortie de l’appareil : typ. 1 mm Diamètre de rayon émetteur à une distance de 100 mm : typ. 0,3mm Diamètre de rayon émetteur à une distance de 800 mm : typ. 5 mm |
Objet détectable min.
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en fonction du type de capteur
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Reproductibilité
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en fonction du type de capteur
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Résolution
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en fonction du type de capteur
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Filtre optique
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M-LAS-10-RFX-IR :
Filtre de lumière du jour M-LAS-10-RFX-VIS : Filtre de lumière rouge |
Lumière ambiante
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jusqu'à 5000 Lux
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Mode de service
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Mode de lumière alternative, 20 kHz ou 100 kHz (en fonction de l’électronique de contrôle utilisée)
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Dimensions du boîtier
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en fonction du type de capteur
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Matériau du boîtier
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Aluminium, noir anodisé
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Type de connecteur
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Connecteur 8 pôles Binder 712
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Câble de raccordement
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Plage de température de service
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-20°C ... +55°C
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Plage de température de stockage
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-20°C ... +90°C
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Indice de protection
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IP67
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Test CEM selon la norme
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DIN EN 60947-5-2
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