Serie M-LAS Barriere fotoelettriche/frontends
Barriere fotoelettriche in miniatura laserLe specifiche generali ....
DATI TECNICI GENERALI:
Consumo di corrente
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<5mA
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Sorgente luminosa
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M-LAS-10-RFX-IR:
Laser a semiconduttore, 850 nm, <0,39mW potenza ottica, modalità DC, classe laser 1 secondo DIN EN 60825-1:2015-07 (IEC 60825-1:2014) M-LAS-10-RFX-VIS: Laser a semiconduttore, 650 nm (raggio laser visibile rosso), <1mW potenza ottica, modalità DC, classe laser 2 secondo DIN EN 60825-1:2015-07 (IEC 60825-1:2014) |
Distanza di lavoro
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a seconda del tipo di sensore
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Ottica
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M-LAS-10-RFX-IR:
collimata M-LAS-10-RFX-VIS: focalizzata su 100mm |
Dimensioni spot laser
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M-LAS-10-RFX-IR:
Diametro raggio Trasmettitore con uscita involucro: tip. 0,7mm Diametro raggio Trasmettitore con distanza 20mm: tip. 0,5mm Diametro raggio Trasmettitore con distanza 800mm: tip. 2,8mm M-LAS-10-RFX-VIS: Diametro raggio Trasmettitore con uscita involucro: tip. 1mm Diametro raggio Trasmettitore con distanza 100mm: tip. 0,3mm Diametro raggio Trasmettitore con distanza 800mm: tip. 5mm |
Oggetto min. riconoscibile
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a seconda del tipo di sensore
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Riproducibilità
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a seconda del tipo di sensore
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Risoluzione
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a seconda del tipo di sensore
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Filtro ottico
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M-LAS-10-RFX-VIS:
Filtro luce rossa |
Luce ambientale
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fino a 5000 lux
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Modalità operativa
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Mod. luce alternata, 20kHz o 100kHz (a seconda dell'elettronica di controllo impiegata)
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Dimensioni dell'involucro
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a seconda del tipo di sensore
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Materiale dell'involucro
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Alluminio, nero anodizzato
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Tipo di connettore
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Presa a 8 poli linker 712
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Cavi di allacciamento
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Gamma di temperatura di esercizio
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-20°C ... +55°C
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Gamma di temperatura di stoccaggio
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-20°C ... +90°C
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Tipo di protezione
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IP67
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Test EMC secondo la norma
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DIN EN 60947-5-2
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